Bachelor- / Masterarbeit an der Helmut-Schmidt-Universität

[LEK_HSU]

Liebe Studierende der TUHH,

als wissenschaftlicher Mitarbeiter an der Professur für Leistungselektronik der Helmut-Schmidt-Universität in Hamburg und ehemaliger Student an der TUHH bin ich auf der Suche nach motivierten Studenten/-innen, die sich mit interessanten und hoch aktuellen Forschungsthemen, besonders im Bereich moderner Siliziumkarbid (SiC) Leistungshalbleiter, im Zuge ihrer Abschlussarbeit beschäftigen wollen.

Das Thema der Arbeit ist die Untersuchung neuartiger, sehr schnell schaltender Siliziumkarbid JFETs für leistungselektronische Applikationen, welche beispielsweise in Antriebsumrichtern, Gleichspannungswandlern oder Wechselrichtern, z.B. für Photovoltaikanlagen, Anwendungen finden und durch ihre erhöhte Schalteffizienz zu einer Verbesserung der Systemeffizienz und Verbesserung der Leistungsdichte des Systems führen könnten.

Dazu soll das Schaltverhalten dieser Leistungshalbleiter messtechnisch untersucht, bewertet und analysiert werden, um daraus Erkenntnisse zur Verbesserung der Schalteffizienz zu gewinnen. Diese Erkenntnisse sollen verwendet werden, um einen, hinsichtlich der Schalteffizienz optimierten Aufbau zu realisieren. Für weitere Details ist unter folgendem Link eine genauere Beschreibung des Themas angefügt:

Auschreibung_BA_MA_TUHH.pdf

Ihr seid auf der Suche nach hervorragenden Laborbedingungen und wollt ein hoch aktuelles Forschungsgebiet auch durch praktische Aufgaben in einem jungen, freundlichen und hilfsbereiten Team, unter anderem aus ehemaligen Studierenden der TUHH, untersuchen und bearbeiten? Dann meldet euch bei Interesse oder Frage unter den folgenden Kontaktdaten:

Dipl.-Ing. Sebastian Fahlbusch
Holstenhofweg 85
Gebäude H3, 102
040/ 6541 2284
Sebastian.fahlbusch@hsu-hh.de

Mit freundlichem Gruß

Sebastian Fahlbusch

[Bismarck]

Da stellt sich doch die alte Frage:

Wer ist der Erstprüfer der TUHH --> Professor der TUHH?

Sonst kannst du das sowieso so gut wie vergessen.

[LEK_HSU]

Es ist richtig, als Erstprüfer ist ein Prof. der TUHH notwendig. Zweitprüfer wird Prof. Hoffmann sein, welcher Leiter des Instituts für Leistungselektronik an der Helmut-Schmidt-Universität ist.

Wir haben jedoch bereits einige Erfahrungen mit solchen Konstellationen machen können, sodass ich dies nicht als großes Problem erachte.

Im Detail kann dies natürlich gerne in einem persönlichen Gespräch weiter erörtert werden.

[LEK_HSU]

Nur zur Information:

Die Abschlussarbeit ist zum jetzigen Zeitpunkt noch nicht vergeben.

[LEK_HSU]

Liebe Studierende,

die Professur für Leistungselektronik der Helmut-Schmidt-Universität Hamburg bietet weitere Arbeiten zum Thema moderne Leistungshalbleiter basierend auf Siliziumkarbid an.

Durch die Energiewende, den Ausbau von Windkraft- und PV-Anlagen sowie die Zunahme im Bereich E-Mobility spielt die moderne Leistungselektronik innerhalb dieser und weiterer Gebiete eine immer bedeutendere Rolle. Die Forderung nach stetig steigender Effizienz elektronischer Systeme ist nur durch eine konsequente Erforschung im Bereich der modernen Leistungelektronik möglich.

Im Speziellen im Bereich moderner Leistungshalbleiter basierend auf dem neuartigen Material Siliziumkarbid (SiC) muss das Potenzial dieses "Materials der Zukunft" weiter erforscht werden, um die derzeitigen Grenzen der Leistungselektronik weiter hinauszuschieben und eine weitere Optimierung leistungselektronischer Systeme zu ermöglichen.

Zu diesem Zweck beschäftigt sich die Professur für Leistungselektronik mit diesem hochmodernen Forschungsgebiet und bietet diverse Abschlussarbeiten an.


Die entsprechenden Ausschreibungen können hier entnommen werden:

BA_MA_JFET_Energie_Doppelpuls.pdf

BA_MA_SiC_Kaskode.pdf

BA_Zuverlaessigkeit_SiC_JFET.pdf

MA_Dauerversuch_MOSFET_Vergleich.pdf


MA_Einfluss_Steckverbinder.pdf


Sollten Fragen zu den Themen bestehen oder detaillierte Beschreibungen gewünscht sein, dann einfach unter folgenden Kontaktdaten melden. Ich stehe gerne zur Verfügung.

Dipl.-Ing. Sebastian Fahlbusch
Holstenhofweg 85
Gebäude H3, 102
040/ 6541 2284
Sebastian.fahlbusch@hsu-hh.de


Mit freundlichem Gruß

Sebastian Fahlbusch

[LEK_HSU]

Aktualisierung:

Liebe Studierende,

die Professur für Leistungselektronik der Helmut-Schmidt-Universität Hamburg bietet weiterhin Arbeiten zum Thema moderne Leistungshalbleiter basierend auf Siliziumkarbid an.

Die bereits an TUHH-Studierende vergebenen Arbeiten sind zur Aktualisierung entfernt worden.


Die entsprechenden verbliebenen Ausschreibungen können hier entnommen werden:

BA_MA_JFET_Energie_Doppelpuls.pdf

BA_MA_SiC_Kaskode.pdf

BA_Zuverlaessigkeit_SiC_JFET.pdf

MA_Einfluss_Steckverbinder.pdf


Sollten weiterhin Fragen zu den Themen bestehen oder detaillierte Beschreibungen gewünscht sein, dann einfach unter folgenden Kontaktdaten melden. Ich stehe gerne zur Verfügung.

Dipl.-Ing. Sebastian Fahlbusch
Holstenhofweg 85
Gebäude H3, 102
040/ 6541 2284
Sebastian.fahlbusch@hsu-hh.de


Mit freundlichem Gruß

Sebastian Fahlbusch

[LEK_HSU]

Aktualisierung 2:

Liebe Studierende,

die Professur für Leistungselektronik der Helmut-Schmidt-Universität Hamburg bietet weiterhin Arbeiten zum Thema moderne Leistungshalbleiter basierend auf Siliziumkarbid an.

Die bereits an TUHH-Studierende vergebenen Arbeiten sind zur Aktualisierung entfernt worden.


Die entsprechenden verbliebenen Ausschreibungen können hier entnommen werden:

BA_MA_JFET_Energie_Doppelpuls.pdf

BA_MA_SiC_Kaskode.pdf

MA_Einfluss_Steckverbinder.pdf

Sollten weiterhin Fragen zu den Themen bestehen oder detaillierte Beschreibungen gewünscht sein, dann einfach unter folgenden Kontaktdaten melden. Ich stehe gerne zur Verfügung.

Dipl.-Ing. Sebastian Fahlbusch
Holstenhofweg 85
Gebäude H3, 102
040/ 6541 2284
Sebastian.fahlbusch@hsu-hh.de


Mit freundlichem Gruß

Sebastian Fahlbusch