Hallo,

ich befürchte, meinen USB-Stick am Montag im LINUX-Pool 3c vergessen zu haben. Hat ihn dort vielleicht jemand Montag Abend oder Dienstag Morgen entdeckt?

Ja, der Lösungsweg ist verwirrend, zumal das LDS ja nicht durch 4/(3*f_g) beschrieben wird. Das Ergebnis stimmt aber. Er hat halt die Fläche des Dreiecks bestimmt, auf eine skurille Art und Weise.

Wirklich niemand?

Moin!

Ist hier schon mal jemand von Prof. Rump in Einschließungsmethoden oder Matrixtheorie geprüft worden (vermutlich nicht viele)? Was sind typische Fragen? Für Tipps wär ich sehr dankbar.

Ich würde mir diese Folien gerne mal ansehen, findet man die im passwortgeschützten Bereich? Könntest du mir vielleicht die Zugangsdaten schicken?

Grundsätzlich kann man wohl sagen, dass beim pmos-Transistor Source am höheren Potential liegt, beim nmos-Transistor am niedrigeren Potential. Es gibt zu der Problematik bereits einen Thread irgendwo in diesem Forum. Zu der von dir in Frage gestellten Umformung: V_ds,p1 + V_ds,p2 = V_dd - V_out = V_...

Ich glaube, du gehst davon aus, dass wie bei den nmos-Transistoren Source "unten" und drain "oben" ist. Beim pmos-Transistor P1 ist es aber andersherum, somit liegen sowohl Gate als auch Drain auf V_sp.

Man klammert sowohl im Zähler als auch im Nenner einen exp-Term mit genau dem halben Exponenten aus. Dann steht in den Klammern jeweils eine Sinusfunktion in Exp-Darstellung.

Endliche geometrische Reihe. Steht z.B in der schwarzen Formelsammlung, wobei das x hier der exp-Term ist.

Alles klar, das ist der zweite Teil. Aber es soll ja ein beliebiges Turingprogramm (möglicherweise mit n Endzuständen) in ein vollkommen 1-reguläres TP (mit nur 1 Endzustand) transformiert werden, oder nicht? Es sieht so aus, als solle man zu allen Endzuständen (1 <= v <= n) jeweils einen neuen Folg...