Wo Drain, wo Source?

Diskussionen rund um Themen und Veranstaltungen des 6. Bachelor-Semesters

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Gast

Beitrag von Gast » Mi, 28. Jul. 04, 20:51

xigua hat geschrieben:Beim p-MOS sind die Löcher die Ladungsträger. Somit kann die Quelle (=Source) der Ladungsträger nur auf der "positiveren" Seite sein, weil es dort mehr Löcher gibt.

Beim n-MOS sind Elektronen die Ladungsträger. Somit kann die Quelle (=Source) entsprechend nur auf der "negativeren" Seite sein.
Auch wenn die Regel eigentlich immer stimmt: Für MOSFETS gibt es - wie bei Bipolartransistoren - ja die drei Grundschaltungen Sourceschaltung, Drainschaltung, Gateschaltung, die ihren Namen durch den Kontakt des jeweiligen Anschlusses mit Masse erhalten. Damit gibt es offenbar auch Schaltungen, die obige Regel nicht erfüllen. :ähm:

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