U.a. unter
http://www.elektronikinfo.de/strom/bipo ... storen.htm
findet man eine ganz gute Einführung zu Bipolartransistoren. Mich würde jetzt folgendes interessieren: Angenommen wir haben eine npn-Transistor mit Emitter - Basis - Kollektor. Der linke np-Übergang sei in Fluß- und der rechte pn-Übergang sei in Sperrichtung gepolt. Jetzt erfolgt ein Elektronenstrom über den linken np-Übergang vom Emitter in die Basis. Damit der Transistor durchschaltet / ein Strom fließen kann, müssen diese Elektronen vom Kollektor "abgesaugt" werden. Wie überwinden hier die Elektronen die immer noch existierende Sperrschicht bzw. warum ausgerechnet hier und nicht auch bei normalen in Sperrrichtung gepolten Dioden?
Bipolartransistor: Wie wird Sperrschicht überwunden?
Moderator: (M) Mod.-Team Allgemein
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cyrano
Soweit ich das richtig verstanden habe...Wie überwinden hier die Elektronen die immer noch existierende Sperrschicht bzw. warum ausgerechnet hier und nicht auch bei normalen in Sperrrichtung gepolten Dioden?
Im der Bibel von Unger steht, dass die Rekombination in der Basis aufgrund der enormen "Minoritätsträgeranzahl" in der Basis (elektronen) vernachlässigt werden kann, die meisten der Elektronen daher die p-schicht garnicht "bemerken" und durch das E-Feld direkt in den Kollektor gelangen. Dieses ist nur bei extrem "kurzen" Bahngebieten der Basis so. (Also sehr dünne p-schicht in der Basis -> folge eher "geringe" Anzahl von Majoritätsträgern)
Da die Eletronem im Kollektor wieder die Majoritätsträger bilden, ist dor keine rekombination möglich, also fließen sie ab.
In der PN-Diode ist das Bahngebiet des P-Halbleiters sehr lang und folglich ist dort die Rekombination
nicht "vernachlässigbar".
Die überwindung des PN-Übergangs erfolgt jedoch durch die Kraft, die das E-Feld auf die Ladungsträger ausübt.
PS: Auf http://smile.unibw-hamburg.de/ findet man auch ne menje dazu und viele gute Animationen.
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Gast